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STP100N6F7  与  IRFB3307ZPBF  区别

型号 STP100N6F7 IRFB3307ZPBF
唯样编号 A36-STP100N6F7 A-IRFB3307ZPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.6mΩ
Qg-栅极电荷 - 79nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 120A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 230W
FET类型 - N-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC
库存与单价
库存 899 1,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥3.223
100+ :  ¥2.585
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP100N6F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥3.223 

阶梯数 价格
20: ¥3.223
100: ¥2.585
899 当前型号
STP80N6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥3.4408 

阶梯数 价格
20: ¥3.4408
100: ¥2.7544
1,000: ¥2.6312
1,886 对比
IRF1407PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 130A 330W 7.8mΩ 75V 20V N-Channel

暂无价格 1,000 对比
IRFB3307ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 75V 120A 4.6mΩ 20V 230W N-Channel

暂无价格 1,000 对比
STP80N6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP040N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

60V 90A 3.3mΩ 20V 188W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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