STN3PF06 与 SIHFL9014-GE3 区别
| 型号 | STN3PF06 | SIHFL9014-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STN3PF06 | A3t-SIHFL9014-GE3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 220m Ohms@1.5A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | - |
| 连续漏极电流Id | 2.5A(Tc) | - |
| 工作温度 | -65°C~150°C(TJ) | - |
| 系列 | STripFET™ II | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 850pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 21nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
