STN3P6F6 与 DMP6185SEQ-13 区别
| 型号 | STN3P6F6 | DMP6185SEQ-13 | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-STN3P6F6 | A36-DMP6185SEQ-13 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 60V SOT223 | MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223 | ||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.2W(Ta) | ||||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 150mΩ@2.2A,10V | ||||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 708 pF @ 30 V | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 14 nC @ 10 V | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-223-4 | SOT-223 | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 3A(Ta) | ||||||||||||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 4,340 | 4,864 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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STN3P6F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223-4 |
￥3.091
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4,340 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMP6185SEQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 2.2W(Ta) ±20V SOT-223 -55°C~150°C(TJ) 60V 3A(Ta) 车规 |
￥1.232
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4,864 | 对比 | ||||||||||||
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DMP6185SEQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 2.2W(Ta) ±20V SOT-223 -55°C~150°C(TJ) 60V 3A(Ta) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMP6185SEQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 2.2W(Ta) ±20V SOT-223 -55°C~150°C(TJ) 60V 3A(Ta) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SIHFL014-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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