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STN3NF06L  与  ZXMN6A09GTA  区别

型号 STN3NF06L ZXMN6A09GTA
唯样编号 A36-STN3NF06L A36-ZXMN6A09GTA-1
制造商 STMicroelectronics Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223 ZXMN6A09G Series 60 V 0.04 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@1.5A,10V 40mΩ@8.2A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Tc) 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A 7.5A
系列 STripFET™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 25V 1407pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 5V 24.2nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V 10V
库存与单价
库存 5,775 7,331
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
40+ :  ¥1.529
100+ :  ¥1.177
1,000+ :  ¥0.9779
2,000+ :  ¥0.8888
4,000+ :  ¥0.825
20+ :  ¥2.6136
1,000+ :  ¥2.4948
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

¥1.529 

阶梯数 价格
40: ¥1.529
100: ¥1.177
1,000: ¥0.9779
2,000: ¥0.8888
4,000: ¥0.825
5,775 当前型号
ZXMN6A09GTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 40mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 7.5A

¥2.6136 

阶梯数 价格
20: ¥2.6136
1,000: ¥2.4948
7,331 对比
ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 3.8A(Ta)

¥2.519 

阶梯数 价格
20: ¥2.519
50: ¥1.936
1,000: ¥1.793
3,112 对比
IRLL014NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223

暂无价格 2,500 对比
IRFL024ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) 57.5mΩ@3.1A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 5.1A 55V SOT-223

暂无价格 2,500 对比
IRLL024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 65mΩ@3.1A,10V N-Channel 55V 4.4A SOT-223

暂无价格 2,500 对比

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