STN2NF10 与 IRFM120ATF 区别
| 型号 | STN2NF10 | IRFM120ATF | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STN2NF10 | A3t-IRFM120ATF | ||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ON Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-Channel 100 V 0.26 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet -SOT-223 | MOSFET | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率 | - | 2.4W | ||||||||||
| 宽度 | - | 3.7mm | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 200 m0hms | ||||||||||
| 引脚数目 | - | 3+Tab | ||||||||||
| 最小栅阈值电压 | - | 2V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | -20 V、+20 V | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-223-4 | 6.7*3.7*1.7mm | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 2.3 A | ||||||||||
| 长度 | - | 6.7mm | ||||||||||
| 最低工作温度 | - | -55 °C | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||
| 最高工作温度 | - | +150 °C | ||||||||||
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms | ||||||||||
| 高度 | - | 1.7mm | ||||||||||
| 类别 | - | 功率 MOSFET | ||||||||||
| 典型关断延迟时间 | - | 36 ns | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 370 pF @ 25 V | ||||||||||
| 晶体管材料 | - | Si | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.4W(Ta) | ||||||||||
| 晶体管配置 | - | 单 | ||||||||||
| FET类型 | - | 增强 | ||||||||||
| 系列 | - | IRFM | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 480pF @ 25V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 22nC @ 10V | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 14 ns | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 8,000 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STN2NF10 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223-4 |
￥2.233
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8,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 1.7A(Ta) |
￥1.5092
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68 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 1.7A(Ta) |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||||||||
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IRFM120ATF | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±20V 2.4W(Ta) 200mΩ@1.15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A 2.3 A 100 V 200 m0hms -20 V、+20 V 增强 6.7*3.7*1.7mm 370 pF @ 25 V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
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IRFL4310TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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