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STN2NF10  与  DMN10H220LE-13  区别

型号 STN2NF10 DMN10H220LE-13
唯样编号 A36-STN2NF10 A36-DMN10H220LE-13
制造商 STMicroelectronics Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.26 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet -SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 220mΩ@1.6A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 1.8W(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA SOT-223
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.3A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 401pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.3nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 3,114
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥0.9196
100+ :  ¥0.7084
1,250+ :  ¥0.6006
2,500+ :  ¥0.5555
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STN2NF10 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-261-4,TO-261AA

暂无价格 0 当前型号
DMN10H220LE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A

¥0.9196 

阶梯数 价格
60: ¥0.9196
100: ¥0.7084
1,250: ¥0.6006
2,500: ¥0.5555
3,114 对比
ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 1.7A(Ta)

¥1.782 

阶梯数 价格
30: ¥1.782
50: ¥1.364
1,000: ¥1.265
2,301 对比
IRFM120ATF ON Semiconductor 功率MOSFET

±20V 2.4W(Ta) 200mΩ@1.15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A 2.3 A 100 V 200 m0hms -20 V、+20 V 增强 6.7*3.7*1.7mm 370 pF @ 25 V

暂无价格 0 对比
ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 1.7A(Ta)

暂无价格 0 对比
IRFL4310TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223

暂无价格 0 对比

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