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STN2NF10  与  IRFM120ATF  区别

型号 STN2NF10 IRFM120ATF
唯样编号 A36-STN2NF10 A-IRFM120ATF
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.26 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet -SOT-223 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 2.4W
宽度 - 3.7mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 200 m0hms
引脚数目 - 3+Tab
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs - -20 V、+20 V
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA 6.7*3.7*1.7mm
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.3 A
长度 - 6.7mm
最低工作温度 - -55 °C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
最高工作温度 - +150 °C
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
高度 - 1.7mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 36 ns
漏源极电压Vds - 370 pF @ 25 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 2.4W(Ta)
晶体管配置 -
FET类型 - 增强
系列 - IRFM
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 14 ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STN2NF10 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-261-4,TO-261AA

暂无价格 0 当前型号
DMN10H220LE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A

¥0.9196 

阶梯数 价格
60: ¥0.9196
100: ¥0.7084
1,250: ¥0.6006
2,500: ¥0.5555
3,114 对比
ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 1.7A(Ta)

¥1.782 

阶梯数 价格
30: ¥1.782
50: ¥1.364
1,000: ¥1.265
2,301 对比
IRFM120ATF ON Semiconductor 功率MOSFET

±20V 2.4W(Ta) 200mΩ@1.15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A 2.3 A 100 V 200 m0hms -20 V、+20 V 增强 6.7*3.7*1.7mm 370 pF @ 25 V

暂无价格 0 对比
ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 1.7A(Ta)

暂无价格 0 对比
IRFL4310TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 200mΩ@1.6A,10V N-Channel 100V 2.2A SOT-223

暂无价格 0 对比

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