STN1HNK60 与 BSP122,115 区别
| 型号 | STN1HNK60 | BSP122,115 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-STN1HNK60 | A3t-BSP122,115 | ||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Nexperia | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-Channel 600 V 10 nC Surface Mount SuperMESH Power MosFet - SOT-223 | MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 1.5W | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.5Ω@500mA,10V | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.3W(Tc) | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT223 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.4A | 0.55A | ||||||||||
| 系列 | SuperMESH™ | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3.7V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 156pF @ 25V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10nC @ 10V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 2500mΩ@10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 12,358 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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STN1HNK60 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A |
￥1.43
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12,358 | 当前型号 | ||||||||||||
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BSP126,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 0.375A |
￥2.189
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32 | 对比 | ||||||||||||
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BSP126,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 0.375A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSP122,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 0.55A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSP122,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 0.55A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSP126,135 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 0.375A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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