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STN1HNK60  与  BSP126,135  区别

型号 STN1HNK60 BSP126,135
唯样编号 A36-STN1HNK60 A-BSP126,135
制造商 STMicroelectronics Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 10 nC Surface Mount SuperMESH Power MosFet - SOT-223 MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.5W
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.5Ω@500mA,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Tc) -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 0.4A 0.375A
系列 SuperMESH™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 156pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5000mΩ@10V,7500mΩ@2.5V
库存与单价
库存 51,167 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.3662
100+ :  ¥1.089
1,000+ :  ¥0.9742
2,000+ :  ¥0.9198
4,000+ :  ¥0.8712
1,010+ :  ¥1.9335
2,000+ :  ¥1.5848
4,000+ :  ¥1.4539
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STN1HNK60 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A

¥1.3662 

阶梯数 价格
40: ¥1.3662
100: ¥1.089
1,000: ¥0.9742
2,000: ¥0.9198
4,000: ¥0.8712
51,167 当前型号
BSP126,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP126_SOT223 N-Channel 0.375A

¥2.189 

阶梯数 价格
30: ¥2.189
50: ¥1.683
139 对比
BSP126,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP126_SOT223 N-Channel 0.375A

¥1.8701 

阶梯数 价格
260: ¥1.8701
500: ¥1.5848
1,000: ¥1.4539
0 对比
BSP122,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP122_SOT223 N-Channel 0.55A

¥1.6502 

阶梯数 价格
260: ¥1.6502
500: ¥1.3985
1,000: ¥1.283
0 对比
BSP135H6433XTMA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP135 H6433_N 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSP126,135 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP126_SOT223 N-Channel 0.375A

¥1.9335 

阶梯数 价格
1,010: ¥1.9335
2,000: ¥1.5848
4,000: ¥1.4539
0 对比

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