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STN1HNK60  与  BSP122,115  区别

型号 STN1HNK60 BSP122,115
唯样编号 A36-STN1HNK60-0 A36-BSP122,115
制造商 STMicroelectronics Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 10 nC Surface Mount SuperMESH Power MosFet - SOT-223 MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.5W
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.5Ω@500mA,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Tc) -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 0.4A 0.55A
系列 SuperMESH™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 156pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 2500mΩ@10V
库存与单价
库存 4,168 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7841
4,000+ :  ¥0.7277
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STN1HNK60 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A

¥0.7841 

阶梯数 价格
70: ¥0.7841
4,000: ¥0.7277
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阶梯数 价格
30: ¥2.189
50: ¥1.683
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BSP126,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP126_SOT223 N-Channel 0.375A

¥2.1348 

阶梯数 价格
240: ¥2.1348
500: ¥1.7498
1,000: ¥1.5216
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¥1.8837 

阶梯数 价格
240: ¥1.8837
500: ¥1.544
1,000: ¥1.3426
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BSP122,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BSP122_SOT223 N-Channel 0.55A

暂无价格 0 对比

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