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STL60N10F7  与  IRFH5053TRPBF  区别

型号 STL60N10F7 IRFH5053TRPBF
唯样编号 A36-STL60N10F7 A-IRFH5053TRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 18 mOhm SMT Power Mosfet - PowerFLAT™ 5x6 Single N-Channel 100 V 3.1 W 24 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 18mΩ@9.3A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 3.1W(Ta),8.3W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - PQFN(5x6)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 25A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.9V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1510pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.9V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1510pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STL60N10F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
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暂无价格 5,000 对比
IRFH5053TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),8.3W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 18mΩ@9.3A,10V N-Channel 100V 25A PQFN(5x6)

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暂无价格 0 对比

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