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STGD6NC60HDT4  与  IRGR3B60KD2TRP  区别

型号 STGD6NC60HDT4 IRGR3B60KD2TRP
唯样编号 A36-STGD6NC60HDT4 A-IRGR3B60KD2TRP
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 IGBT晶体管
描述 IGBT 600 V 15 A 56 W 表面贴装型 DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
栅极—射极漏泄电流 - 100nA
宽度 - 6.22mm
功率 - 52W
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 15.6A
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) - 600V
IGBT 类型 - NPT
IGBT类型 - NPT
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 7.8A
栅极/发射极最大电压 - ±20V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 2.4V @ 15V,3A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
配置 - Single
开关能量 - 62µJ(开),39µJ(关)
不同 Vge,Ic时的 Vce(on) - 2.4V @ 15V,3A
在25 C的连续集电极电流 - 7.8A
长度 - 6.73mm
测试条件 - 400V,3A,100 欧姆,15V
Power-Max - 52W
高度 - 2.39mm
25°C时Td(开/关)值 - 18ns/110ns
反向恢复时间(trr) - 77ns
输入类型 - 标准
Current-CollectorPulsed(Icm) - 15.6A
集电极—发射极最大电压 VCEO - 600V
系列 - RC
Current-Collector(Ic)(Max) - 7.8A
25°C 时 Td(开/关)值 - 18ns/110ns
集电极—射极饱和电压 - 1.9V
库存与单价
库存 3 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGD6NC60HDT4 STMicro  数据手册 未分类

暂无价格 3 当前型号
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