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STGD6NC60HDT4  与  IRG4RC10SDPBF  区别

型号 STGD6NC60HDT4 IRG4RC10SDPBF
唯样编号 A36-STGD6NC60HDT4 A-IRG4RC10SDPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 IGBT晶体管
描述 IGBT 600 V 15 A 56 W 表面贴装型 DPAK N-Channel 600 V 16 nC Insulated Gate Bipolar Transistor Surface Mount - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
25°C时Td(开/关)值 - 76ns/815ns
电流-集电极(Ic)(最大值) - 14A
功率 - 38W
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 18A
反向恢复时间(trr) - 28ns
输入类型 - 标准
电压-集射极击穿(最大值) - 600V
脉冲电流-集电极(Icm) - 18A
电压 - 集射极击穿(最大值) - 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 14A
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 1.8V @ 15V,8A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
开关能量 - 310µJ(开),3.28mJ(关)
不同 Vge,Ic时的 Vce(on) - 1.8V @ 15V,8A
测试条件 - 480V,8A,100 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值 - 76ns/815ns
库存与单价
库存 3 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGD6NC60HDT4 STMicro  数据手册 未分类

暂无价格 3 当前型号
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-55°C ~ 150°C(TJ) 52W

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