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STGB18N40LZT4  与  IRGS14C40LPBF  区别

型号 STGB18N40LZT4 IRGS14C40LPBF
唯样编号 A36-STGB18N40LZT4 A-IRGS14C40LPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET IGBT晶体管
描述 STGB18N40LZ Series 390 V 30 A Surface Mount Internally Clamped IGBT - D2PAK IRGS14C40LPBF Series 430 V 14 A N-Channel Ignition IGBT - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
25°C时Td(开/关)值 - 900ns/6µs
电流-集电极(Ic)(最大值) - 20A
功率 - 125W
输入类型 - 逻辑
电压-集射极击穿(最大值) - 430V
电压 - 集射极击穿(最大值) - 430V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 20A
封装/外壳 - D2PAK
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 1.75V @ 5V,14A
工作温度 - -40°C ~ 175°C(TJ)
不同 Vge,Ic时的 Vce(on) - 1.75V @ 5V,14A
25°C 时 Td(开/关)值 - 900ns/6µs
库存与单价
库存 950 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.301
100+ :  ¥3.443
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGB18N40LZT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

¥4.301 

阶梯数 价格
20: ¥4.301
100: ¥3.443
950 当前型号
IRGS14C40LPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-40°C ~ 175°C(TJ) 125W D2PAK

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