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STF28N60DM2  与  R6030MNX  区别

型号 STF28N60DM2 R6030MNX
唯样编号 A36-STF28N60DM2 A33-R6030MNX
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 90W(Tc)
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220FP TO-220-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 30A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2180pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 43nC @ 10V
库存与单价
库存 0 5
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
4+ :  ¥45.871
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF28N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

暂无价格 0 当前型号
R6020ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 50W(Tc) 196mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3

¥25.9989 

阶梯数 价格
1: ¥25.9989
100: ¥13.8834
500: ¥10.0377
500 对比
R6030MNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±30V 90W(Tc) 150mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 600V 30A(Tc)

暂无价格 500 对比
R6030MNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±30V 90W(Tc) 150mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 600V 30A(Tc)

¥45.871 

阶梯数 价格
4: ¥45.871
10: ¥22.6337
50: ¥18.8582
100: ¥18.1012
500: ¥17.5358
500 对比
R6020ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 50W(Tc) 196mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 122 对比
R6030MNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±30V 90W(Tc) 150mΩ@15A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 600V 30A(Tc)

¥45.871 

阶梯数 价格
4: ¥45.871
5 对比

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