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STF24NM60N  与  R6020ENX  区别

型号 STF24NM60N R6020ENX
唯样编号 A36-STF24NM60N A-R6020ENX
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 190 mOhm MDmesh™ II Power MOSFET - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@8A,10V 196mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 30W(Tc) 50W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220FP TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 20A(Tc)
系列 MDmesh™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 46nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
库存与单价
库存 288 500
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
8+ :  ¥7.051
100+ :  ¥5.643
1+ :  ¥25.9989
100+ :  ¥13.8834
500+ :  ¥10.0377
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF24NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

¥7.051 

阶梯数 价格
8: ¥7.051
100: ¥5.643
288 当前型号
R6020ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥25.9989 

阶梯数 价格
1: ¥25.9989
100: ¥13.8834
500: ¥10.0377
500 对比
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