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STF24N60M2  与  SPA20N65C3  区别

型号 STF24N60M2 SPA20N65C3
唯样编号 A36-STF24N60M2 A-SPA20N65C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 190 mO Flange Mount MDMesh II Plus Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@9A,10V 190mΩ
上升时间 - 5ns
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 30W(Tc) 34.5W
栅极电压Vgs ±25V 20V
典型关闭延迟时间 - 67ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220FP -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 18A 20.7A
系列 MDmesh™ II Plus CoolMOSC3
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1060pF @ 100V -
长度 - 10.65mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 4.5ns
典型接通延迟时间 - 10ns
高度 - 16.15mm
库存与单价
库存 9,361 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.895
100+ :  ¥3.916
1,000+ :  ¥3.63
暂无价格
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