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STF22NM60N  与  IPA60R190C6XKSA1  区别

型号 STF22NM60N IPA60R190C6XKSA1
唯样编号 A36-STF22NM60N A-IPA60R190C6XKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 STF22NM60N Series 600 V 0.22 Ohm 16 A MDmesh™ II Power MOSFET - TO-220FP MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 34W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 220mΩ -
上升时间 18ns -
Qg-栅极电荷 44nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 100V
栅极电压Vgs 3V -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 16A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 190 毫欧 @ 9.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
下降时间 38ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 30W -
典型关闭延迟时间 74ns -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 630uA
系列 STF22NM60N -
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20.2A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
典型接通延迟时间 11ns -
库存与单价
库存 4,600 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
7+ :  ¥7.557
100+ :  ¥6.039
1,000+ :  ¥5.599
暂无价格
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