首页 > 商品目录 > > > > STF22NM60N代替型号比较

STF22NM60N  与  IPA60R190C6XKSA1  区别

型号 STF22NM60N IPA60R190C6XKSA1
唯样编号 A36-STF22NM60N A-IPA60R190C6XKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 STF22NM60N Series 600 V 0.22 Ohm 16 A MDmesh™ II Power MOSFET - TO-220FP MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 34W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 220mΩ -
上升时间 18ns -
Qg-栅极电荷 44nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 100V
栅极电压Vgs 3V -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 16A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 190 毫欧 @ 9.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
下降时间 38ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 30W -
典型关闭延迟时间 74ns -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 630uA
系列 STF22NM60N -
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20.2A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 600V
典型接通延迟时间 11ns -
库存与单价
库存 2,140 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥5.522
100+ :  ¥4.411
1,000+ :  ¥4.235
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF22NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

16A 30W 220mΩ 650V 3V TO-220-3 N-Channel -55°C~150°C

¥5.522 

阶梯数 价格
10: ¥5.522
100: ¥4.411
1,000: ¥4.235
2,140 当前型号
IPA60R190C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R190C6_N 通道 TO-220-3 整包 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOTF15S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

15A(Tc) N-Channel ±30V 290 mΩ @ 7.5A,10V TO-220-3F 27.8W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 600V

暂无价格 0 对比
AOTF15S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V 30V 15A 27.8W 290mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPA60R299CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R299CPXKSA1_600V 11A 270mΩ 20V 33W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
FCPF260N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

±20V 260 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-220-3 整包 N-Channel 600V 15A(Tc) TO-220FP

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售