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STF18N65M2  与  IPAN80R360P7XKSA1  区别

型号 STF18N65M2 IPAN80R360P7XKSA1
唯样编号 A36-STF18N65M2 A-IPAN80R360P7XKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP MOSFET N-CH 800V 13A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 30W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 930pF @ 500V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-220FP-3 TO-220-3 整包
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 280uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 360 毫欧 @ 5.6A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 13A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 800V
库存与单价
库存 650 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥5.038
100+ :  ¥4.026
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10: ¥5.038
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