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STF14NM50N  与  IPA50R380CE  区别

型号 STF14NM50N IPA50R380CE
唯样编号 A36-STF14NM50N A-IPA50R380CE
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 320mΩ@6A,10V 340mΩ
上升时间 - 5.6ns
Qg-栅极电荷 - 24.8nC
栅极电压Vgs ±25V 20V
封装/外壳 TO-220FP -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 12A 14.1A
配置 - Single
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 13V
下降时间 - 8.36ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 260µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 584pF @ 100V
高度 - 16.15mm
漏源极电压Vds 500V 500V
Pd-功率耗散(Max) 25W(Tc) 29.2W
典型关闭延迟时间 - 35ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 MDmesh™ II CoolMOSCE
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 816pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 7.2ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24.8nC @ 10V
库存与单价
库存 1,700 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥5.478
100+ :  ¥4.389
1,000+ :  ¥4.202
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STF14NM50N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 25W(Tc) 320mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 500V 12A

¥5.478 

阶梯数 价格
10: ¥5.478
100: ¥4.389
1,000: ¥4.202
1,700 当前型号
AOTF14N50 AOS  数据手册 功率MOSFET

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