STF10N60M2 与 R6009KNX 区别
| 型号 | STF10N60M2 | R6009KNX | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-STF10N60M2 | A-R6009KNX | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-220FP-3 | TO-220-3 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 9A(Tc) | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 535mΩ@2.8A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 48W(Tc) | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 1mA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 540pF @ 25V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 16.5nC @ 10V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 47 | 100 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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STF10N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
￥3.74
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47 | 当前型号 | ||||||||||||
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IPA50R500CE | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 FullPAK 5.4A N-Channel 500V -55°C 2.5V,3.5V 500mΩ |
暂无价格 | 500 | 对比 | ||||||||||||
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R6009KNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 9A(Tc) ±20V 48W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
￥22.7199
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400 | 对比 | ||||||||||||
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R6009KNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 9A(Tc) ±20V 48W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||||
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R6009KNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 9A(Tc) ±20V 48W(Tc) 535mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
￥20.4805
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100 | 对比 | ||||||||||||
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AOTF12N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 600V 30V 12A 50W 550mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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