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STD9NM60N  与  R6007JND3TL1  区别

型号 STD9NM60N R6007JND3TL1
唯样编号 A36-STD9NM60N A33-R6007JND3TL1
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3
连续漏极电流Id - 7A(Tc)
工作温度 - -55℃~150℃(TJ)
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 96W(Tc)
Vgs(最大值) - ±30V
栅极电荷Qg - 17.5nC@15V
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 780mOhms@3.5A,15V
栅极电压Vgs - 7V@1mA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 2,037 1,490
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
20+ :  ¥3.542
100+ :  ¥2.959
1,250+ :  ¥2.684
20+ :  ¥10.6269
50+ :  ¥7.0335
100+ :  ¥6.679
500+ :  ¥6.2286
1,000+ :  ¥6.0082
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.542 

阶梯数 价格
20: ¥3.542
100: ¥2.959
1,250: ¥2.684
2,037 当前型号
R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥10.6269 

阶梯数 价格
20: ¥10.6269
50: ¥7.0335
100: ¥6.679
500: ¥6.2286
1,000: ¥6.0082
1,490 对比
R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 100 对比
R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥7.2106 

阶梯数 价格
1: ¥7.2106
25: ¥6.6764
100: ¥6.1819
100 对比
TK6P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD60R600C6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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