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STD9NM60N  与  R6007JND3TL1  区别

型号 STD9NM60N R6007JND3TL1
唯样编号 A36-STD9NM60N A3-R6007JND3TL1
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3
连续漏极电流Id - 7A(Tc)
工作温度 - -55℃~150℃(TJ)
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 96W(Tc)
Vgs(最大值) - ±30V
栅极电荷Qg - 17.5nC@15V
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 780mOhms@3.5A,15V
栅极电压Vgs - 7V@1mA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 2,037 133
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.432
100+ :  ¥2.86
1,250+ :  ¥2.596
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.432 

阶梯数 价格
20: ¥3.432
100: ¥2.86
1,250: ¥2.596
2,037 当前型号
R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

¥11.1444 

阶梯数 价格
20: ¥11.1444
50: ¥6.6119
100: ¥6.0465
500: ¥5.6632
1,000: ¥5.5866
1,490 对比
R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

暂无价格 133 对比
TK6P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 6.2A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD60R600C6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
FCD900N60Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63

暂无价格 0 对比

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