STD9NM60N 与 FCD900N60Z 区别
| 型号 | STD9NM60N | FCD900N60Z | ||||||
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| 唯样编号 | A36-STD9NM60N | A3-FCD900N60Z | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 900mΩ@2.3A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 52W(Tc) | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252-3,Dpak,SC-63 | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4.5A(Tc) | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 3.5V @ 250µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 720pF @ 25V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 17nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,027 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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STD9NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
¥1.6407
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2,027 | 当前型号 | ||||||||||||||
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R6007JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
¥12.6488
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1,490 | 对比 | ||||||||||||||
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R6007JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 600V |
暂无价格 | 133 | 对比 | ||||||||||||||
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FCD900N60Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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FCD900N60Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD4S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 56.8W 900mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |