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STD9NM60N  与  IPD60R600C6BTMA1  区别

型号 STD9NM60N IPD60R600C6BTMA1
唯样编号 A36-STD9NM60N A-IPD60R600C6BTMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 63W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 200uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20.5nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 600 毫欧 @ 2.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7.3A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 2,037 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.542
100+ :  ¥2.959
1,250+ :  ¥2.684
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.542 

阶梯数 价格
20: ¥3.542
100: ¥2.959
1,250: ¥2.684
2,037 当前型号
R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥10.6269 

阶梯数 价格
20: ¥10.6269
50: ¥7.0335
100: ¥6.679
500: ¥6.2286
1,000: ¥6.0082
1,490 对比
R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 100 对比
R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥7.2106 

阶梯数 价格
1: ¥7.2106
25: ¥6.6764
100: ¥6.1819
100 对比
TK6P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD60R600C6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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