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STD8N65M5  与  IPD60R600E6  区别

型号 STD8N65M5 IPD60R600E6
唯样编号 A36-STD8N65M5 A-IPD60R600E6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 540mΩ
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 63W
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 -
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 7.3A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 100V
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSE6
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 200µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20.5nC
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD8N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD60R600P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600P7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
TK11P65W,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 100W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 650 V 11.1A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD60R600E6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600E6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 对比
TK560P65Y,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 650 V 7A(Tc)

暂无价格 0 对比
IPD60R600E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R600E6ATMA1_-55°C~150°C(TJ) 7.3A 540mΩ 20V 63W N-Channel 600V

暂无价格 0 对比

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