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STD7NS20T4  与  IRFR9N20DPBF  区别

型号 STD7NS20T4 IRFR9N20DPBF
唯样编号 A36-STD7NS20T4 A-IRFR9N20DPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 N-Channel 200 V 0.4 Ohm 45 W Surface Mount MESH Overlay Power Mosfet - TO-252 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR9N20DPBF, 9.4 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 380mΩ
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 86W
晶体管配置 -
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 3V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 9.4A
系列 - HEXFET
长度 - 6.73mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
典型接通延迟时间 - 7.5 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 560pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
高度 - 2.39mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 13 ns
库存与单价
库存 205 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.168
100+ :  ¥2.651
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD7NS20T4 STMicro  数据手册 未分类

¥3.168 

阶梯数 价格
20: ¥3.168
100: ¥2.651
205 当前型号
IRFR9N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 9.4A 380mΩ 86W

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