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STD7N80K5  与  IPD65R950C6  区别

型号 STD7N80K5 IPD65R950C6
唯样编号 A36-STD7N80K5 A-IPD65R950C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 800 V 6A(Tc) 110W(Tc) DPAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 950mΩ@1.5A,10V
漏源极电压Vds - 700V
Pd-功率耗散(Max) - 37W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4.5A
系列 - CoolMOS™ C6
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 200µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 328pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15.3nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD7N80K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
IPD65R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R950C6ATMA1_±20V 37W(Tc) 950mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 700V 4.5A

暂无价格 2,500 对比
IPD80R1K0CEBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD65R950C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R950C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPD04N80C3BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPD06N80C3BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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