STD5NM60T4 与 SIHD7N60E-GE3 区别
| 型号 | STD5NM60T4 | SIHD7N60E-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-STD5NM60T4 | A-SIHD7N60E-GE3 | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 5A DPAK | E-Series N-Channel 600 V 78 W 600 mO 40 nC Surface Mount Power MOSFET - DPAK-3 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 7A(Tc) | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 600 mOhms @ 3.5A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 78W(Tc) | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±30V | ||||||||
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 5,000 | 35 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STD5NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
¥5.445
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5,000 | 当前型号 | ||||||||||
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SIHD7N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
7A(Tc) N-Channel 600 mOhms @ 3.5A,10V 78W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 35 | 对比 |