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STD5NM60T4  与  AOD4C60  区别

型号 STD5NM60T4 AOD4C60
唯样编号 A36-STD5NM60T4 A-AOD4C60
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252,(D-Pak)
连续漏极电流Id - 4A(Tc)
工作温度 - -50°C ~ 175°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 950 mΩ @ 1.3A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 125W(Tc)
栅极电荷Qg - 18nC @ 10V
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD5NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD60R950C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R950C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOD4C60 AOS  数据手册 功率MOSFET

4A(Tc) N-Channel ±30V 950 mΩ @ 1.3A,10V TO-252,(D-Pak) 125W(Tc) -50°C ~ 175°C(TJ) 600V

暂无价格 0 对比
IPD60R950C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R950C6ATMA1_-55°C~150°C(TJ) PG-TO252-3 600V 4.4A 860mΩ 20V 37W N-Channel

暂无价格 0 对比
TK6P65W,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 650 V 5.8A(Ta)

暂无价格 0 对比

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