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STD5NK60ZT4  与  IPD80R1K4P7  区别

型号 STD5NK60ZT4 IPD80R1K4P7
唯样编号 A36-STD5NK60ZT4 A-IPD80R1K4P7
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252
连续漏极电流Id - 4A
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.4Ω@1.4A,10V
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 32W
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD5NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R1K4P7_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD65R1K4C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R1K4C6ATMA1_650V 3.2A 1.26Ω 20V 28W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPD65R1K4C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R1K4C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPU60R1K5CEBKMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD80R1K4P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R1K4P7ATMA1_1.4Ω@1.4A,10V 800V 4A TO-252 N-Channel -55°C~150°C ±20V 32W

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