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STD5NK50ZT4  与  IRFR825TRPBF  区别

型号 STD5NK50ZT4 IRFR825TRPBF
唯样编号 A36-STD5NK50ZT4 A-IRFR825TRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.3Ω@3.7A,10V
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 119W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 6A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1346pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1346pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC
库存与单价
库存 128 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥2.717
100+ :  ¥2.101
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD5NK50ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥2.717 

阶梯数 价格
20: ¥2.717
100: ¥2.101
128 当前型号
IRFR825TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 119W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 1.3Ω@3.7A,10V N-Channel 500V 6A D-Pak

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TK6P53D(T6RSS-Q) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 100W(Tc) D-Pak 150°C(TJ) 525 V 6A(Ta)

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SPD03N50C3ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD03N50C3_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

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AOD5N50M AOS 功率MOSFET

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AOD5T40P_101 AOS  数据手册 功率MOSFET

3.9A(Tc) N-Channel ±30V 1.45 Ω @ 1A,10V TO-252,(D-Pak) 52W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 400V

暂无价格 0 对比

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