STD5N60DM2 与 R6004JND3TL1 区别
| 型号 | STD5N60DM2 | R6004JND3TL1 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-STD5N60DM2 | A32-R6004JND3TL1-1 | ||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-Channel 600 V 1.55 Ohm Surface Mount MDmesh™ DM2 Power Mosfet - DPAK-3 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252-3 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 60W | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4A | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 10.5 nC | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 1.43Ω | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 30V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,704 | 2,500 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STD5N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
￥2.88
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3,704 | 当前型号 | ||||||||||
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R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C |
￥6.8411
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2,500 | 对比 | ||||||||||
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R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C |
暂无价格 | 290 | 对比 | ||||||||||
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R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C |
￥3.1047
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60 | 对比 | ||||||||||
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R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AOD1R4A70 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 700V 20V 3.8A 48W 1400mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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