STD5N60DM2 与 AOD1R4A70 区别
| 型号 | STD5N60DM2 | AOD1R4A70 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-STD5N60DM2 | A-AOD1R4A70 | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 600 V 1.55 Ohm Surface Mount MDmesh™ DM2 Power Mosfet - DPAK-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 1.3 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 48W | ||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 700V | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 1.4 | ||||||||
| VGS(th) | - | 4.1 | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 2 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 3.8A | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 354 | ||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 1400mΩ@10V | ||||||||
| Trr(ns) | - | 176 | ||||||||
| Coss(pF) | - | 12 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 8 | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,704 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STD5N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
￥2.88
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3,704 | 当前型号 | ||||||||||
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R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C |
￥6.8411
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2,500 | 对比 | ||||||||||
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R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C |
暂无价格 | 290 | 对比 | ||||||||||
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R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C |
￥3.1047
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60 | 对比 | ||||||||||
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R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 600V 4A 1.43Ω 30V 60W -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AOD1R4A70 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 700V 20V 3.8A 48W 1400mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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