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STD3NK50ZT4  与  IPD50R3K0CE  区别

型号 STD3NK50ZT4 IPD50R3K0CE
唯样编号 A36-STD3NK50ZT4 A-IPD50R3K0CE
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.7Ω
上升时间 - 5.8ns
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 26W
Qg-栅极电荷 - 4.3nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 23ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 -
连续漏极电流Id - 2.6A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - XPD50R3
长度 - 6.5mm
下降时间 - 49ns
典型接通延迟时间 - 7.3ns
高度 - 2.3mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD3NK50ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50R3K0CE_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

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IPD50R3K0CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50R3K0CEAUMA1_500V 2.6A 2.7Ω 20V 26W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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