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STD35NF06T4  与  DMN6017SK3-13  区别

型号 STD35NF06T4 DMN6017SK3-13
唯样编号 A36-STD35NF06T4 A3-DMN6017SK3-13
制造商 STMicroelectronics Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 18mΩ
上升时间 - 5.4ns
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
Qg-栅极电荷 - 55nC
栅极电压Vgs - 1V
典型关闭延迟时间 - 38.2ns
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,Dpak,SC-63
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 43A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 11ns
典型接通延迟时间 - 4.9ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2711pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 55nC @ 10V
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.267
100+ :  ¥2.717
1,250+ :  ¥2.475
2,500+ :  ¥2.376
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD35NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.267 

阶梯数 价格
20: ¥3.267
100: ¥2.717
1,250: ¥2.475
2,500: ¥2.376
2,500 当前型号
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥10.3203 

阶梯数 价格
20: ¥10.3203
50: ¥5.7782
100: ¥5.2129
300: ¥4.8392
500: ¥4.7625
1,000: ¥4.705
2,000: ¥4.6763
6,101 对比
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥10.3203 

阶梯数 价格
20: ¥10.3203
50: ¥5.7782
100: ¥5.2129
300: ¥4.8392
500: ¥4.7625
1,000: ¥4.705
2,000: ¥4.6763
2,500 对比
AOD442 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V 20V 38A 60W 20mΩ@10V

¥2.42 

阶梯数 价格
30: ¥2.42
51 对比
IRFR2607ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

22mΩ@30A,10V ±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 80V 45A DPAK

暂无价格 0 对比
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 43A 50W 18mΩ 60V 1V

暂无价格 0 对比

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