STD35NF06T4 与 IRFR2607ZPBF 区别
| 型号 | STD35NF06T4 | IRFR2607ZPBF | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-STD35NF06T4 | A-IRFR2607ZPBF | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 35A DPAK | Single N-Channel 75 V 110 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 22mΩ@30A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 80V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 110W(Tc) | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | DPAK | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 45A | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 50µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1440pF @ 25V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 51nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,584 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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STD35NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥3.113
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3,584 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥11.7097
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5,118 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSD221N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥11.7097
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1,300 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRFR2607ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
22mΩ@30A,10V ±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 80V 45A DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN6017SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 43A 50W 18mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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IRFR4105TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@16A,10V N-Channel 55V 27A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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