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STD30NF06T4  与  IRLR2905TRLPBF  区别

型号 STD30NF06T4 IRLR2905TRLPBF
唯样编号 A36-STD30NF06T4 A-IRLR2905TRLPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 2O mO 28 A 43 nC SMT STripFET II Power Mosfet - TO-252 N Channel 55 V 0.027 O 110 W 48 nC Surface Mount HexFet Power MosFet - DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 27mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 42A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1700pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1700pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD30NF06T4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥10.3203 

阶梯数 价格
20: ¥10.3203
50: ¥5.7782
100: ¥5.2129
300: ¥4.8392
500: ¥4.7625
1,000: ¥4.705
2,000: ¥4.6763
6,101 对比
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥10.3203 

阶梯数 价格
20: ¥10.3203
50: ¥5.7782
100: ¥5.2129
300: ¥4.8392
500: ¥4.7625
1,000: ¥4.705
2,000: ¥4.6763
2,500 对比
IRLR2905TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 27mΩ@25A,10V N-Channel 55V 42A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR1205PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 107W(Tc) 27mΩ@26A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 55V 44A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR4105ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 24.5mΩ@18A,10V N-Channel 55V 30A D-Pak

暂无价格 0 对比

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