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STD2N80K5  与  R8002KND3TL1  区别

型号 STD2N80K5 R8002KND3TL1
唯样编号 A36-STD2N80K5 A33-R8002KND3TL1-0
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 30W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 140 pF @ 100 V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 DPAK TO-252
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 150uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.5 nC @ 10 V
工作温度 - 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.6A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 800 V
库存与单价
库存 0 2,070
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥10.8377
50+ :  ¥6.2957
100+ :  ¥5.7303
300+ :  ¥5.3566
500+ :  ¥5.28
1,000+ :  ¥5.2225
2,000+ :  ¥5.1937
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD2N80K5 STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
AOD3N80 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 800V 30V 2.8A 83W 4800mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AOD3N80 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 800V 30V 2.8A 83W 4800mΩ@10V

暂无价格 0 对比
R8002KND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150°C(TJ) TO-252

¥10.8377 

阶梯数 价格
20: ¥10.8377
50: ¥6.2957
100: ¥5.7303
300: ¥5.3566
500: ¥5.28
1,000: ¥5.2225
2,000: ¥5.1937
2,070 对比

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