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STD2HNK60Z-1  与  AOI2N60A  区别

型号 STD2HNK60Z-1 AOI2N60A
唯样编号 A36-STD2HNK60Z-1 A-AOI2N60A
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 4.8 Ohm SuperMesh Power MosFet - TO-251
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.3
Td(off)(ns) - 28
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4700mΩ@10V
ESD Diode - No
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 57W
Qrr(nC) - 1600
VGS(th) - 4.5
Qgd(nC) - 1.8
栅极电压Vgs - 30V
FET类型 - N-Channel
Td(on)(ns) - 16
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA TO-251A
连续漏极电流Id - 2A
Ciss(pF) - 295
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 268
Coss(pF) - 30
Qg*(nC) - 6.5*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD2HNK60Z-1 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

暂无价格 0 当前型号
FQU2N60CTU ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

1.9A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),44W(Tc) 4.7Ω@950mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-251-3 ,IPak,TO-251AA IPAK N-Channel 600V 1.9A

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FQU2N60CTU ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

1.9A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),44W(Tc) 4.7Ω@950mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-251-3 ,IPak,TO-251AA IPAK N-Channel 600V 1.9A

暂无价格 0 对比
AOI2N60A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-251A N-Channel 600V 30V 2A 57W 4700mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AOI2N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-251A N-Channel 600V 30V 2A 56.8W 4400mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AOU2N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-251 N-Channel 600V 30V 2A 56.8W 4400mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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