STD20NF20 与 IRFR15N20DPBF 区别
| 型号 | STD20NF20 | IRFR15N20DPBF | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-STD20NF20 | A-IRFR15N20DPBF | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A DPAK | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 165mΩ@10A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 200V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3W(Ta),140W(Tc) | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±30V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | D-Pak | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 17A | ||||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 5.5V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 910pF @ 25V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 41nC @ 10V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 5.5V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 910pF @ 25V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 41nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,500 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STD20NF20 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
¥7.337
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||
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AOD2210 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 200V ±20V 18A 100W 105mΩ@18A,10V -55°C~175°C |
¥3.861
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1,440 | 对比 | ||||||||||
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PSMN130-200D,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 200V 20A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRFR13N20DTRLP | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 200V 13A(Tc) ±30V 110W(Tc) 235mΩ@8A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRFR15N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3W(Ta),140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 165mΩ@10A,10V N-Channel 200V 17A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PSMN130-200D,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 200V 20A |
暂无价格 | 0 | 对比 |