STD20NF06LT4 与 RSD150N06TL 区别
| 型号 | STD20NF06LT4 | RSD150N06TL | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-STD20NF06LT4 | A33-RSD150N06TL | ||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK | MOSFET N-CH 60V 15A CPT3 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 20W(Tc) | ||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 930pF @ 10V | ||||||||||
| FET类型 | - | N 通道 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | CPT3 | ||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3V @ 1mA | ||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 40 毫欧 @ 15A,10V | ||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V | ||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 15A(Ta) | ||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 60V | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 18nC @ 10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 21 | 439 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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STD20NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥3.498
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21 | 当前型号 | ||||||||||||||
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ZXMN6A25KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.11W(Ta) 50mΩ@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 60V 10.7A |
￥1.4735
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7,594 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN6040SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 20A(Tc) |
￥1.606
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7,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥6.8898
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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ZXMN6A09KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2.15W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 7.7A(Ta) |
￥3.124
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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RSD150N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥6.8898
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439 | 对比 |
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