STD1NK60T4 与 SIHFR1N60A-GE3 区别
| 型号 | STD1NK60T4 | SIHFR1N60A-GE3 | ||||||
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| 唯样编号 | A36-STD1NK60T4 | A-SIHFR1N60A-GE3 | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252 | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 1.4A(Tc) | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 7 Ohms @ 840mA,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 36W(Tc) | ||||||
| Vgs(最大值) | - | ±30V | ||||||
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,271 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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STD1NK60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥1.848
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2,271 | 当前型号 | ||||||||
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AOD1N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 1.3A 45W 9000mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SIHFR1N60A-GE3 | Vishay | 功率MOSFET |
1.4A(Tc) N-Channel 7 Ohms @ 840mA,10V 36W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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SIHFR1N60A-GE3 | Vishay | 功率MOSFET |
1.4A(Tc) N-Channel 7 Ohms @ 840mA,10V 36W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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