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STD16NF25  与  IRFR15N20DPBF  区别

型号 STD16NF25 IRFR15N20DPBF
唯样编号 A36-STD16NF25 A-IRFR15N20DPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 250 V 0.235 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 235mΩ@6.5A,10V 165mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 250V 200V
Pd-功率耗散(Max) 100W(Tc) 3W(Ta),140W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK D-Pak
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 14A 17A
系列 STripFET™ II HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V 910pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 10V 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 910pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD16NF25 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 100W(Tc) 235mΩ@6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 250V 14A

暂无价格 0 当前型号
IRFR15N20DTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3W(Ta),140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 165mΩ@10A,10V N-Channel 200V 17A D-PAK(TO-252AA)

暂无价格 2,000 对比
IRFR13N20DTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 235mΩ@8A,10V N-Channel 200V 13A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR13N20DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 200V 13A(Tc) ±30V 110W(Tc) 235mΩ@8A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比
IRFR15N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3W(Ta),140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 165mΩ@10A,10V N-Channel 200V 17A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR13N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 110W(Tc) 235mΩ@8A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 200V 13A D-Pak

暂无价格 0 对比

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