STD16NF06T4 与 TK8S06K3L(T6L1,NQ) 区别
| 型号 | STD16NF06T4 | TK8S06K3L(T6L1,NQ) | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STD16NF06T4 | A33-TK8S06K3L(T6L1,NQ)-1 | ||||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Toshiba | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK | MOSFET N-CH 60V 8A DPAK | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60 V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 25W(Tc) | ||||||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 54 毫欧 @ 4A,10V | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 400 pF @ 10 V | ||||||||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 1mA | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 10 nC @ 10 V | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | DPAK+ | ||||||||||||
| 工作温度 | - | 175°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 8A(Ta) | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 6V,10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,422 | 174 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STD16NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥2.189
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2,422 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
￥1.551
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6,580 | 对比 | ||||||||||
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AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
￥1.65
|
4,051 | 对比 | ||||||||||
|
TK8S06K3L(T6L1,NQ) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 25W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta) |
￥6.2861
|
174 | 对比 | ||||||||||
|
PHD20N06T,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 51W 175°C 3V 55V 18A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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