STD16NF06T4 与 IRFR024NTRPBF 区别
| 型号 | STD16NF06T4 | IRFR024NTRPBF | ||||||
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| 唯样编号 | A36-STD16NF06T4 | A-IRFR024NTRPBF | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 16A DPAK | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 75mΩ@10A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 55V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 45W(Tc) | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | D-Pak | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 17A | ||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 370pF @ 25V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,449 | 2,000 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STD16NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥2.222
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2,449 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) DPAK 8.5A 8.49W 68mΩ 60V 1V |
￥1.463
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10,579 | 对比 | ||||||||||
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AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
￥1.507
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4,421 | 对比 | ||||||||||
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IRFR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 45W(Tc) 75mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 17A 55V D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||
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PHD20N06T,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 51W 175°C 3V 55V 18A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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