STD16N60M2 与 AOD11S60 区别
| 型号 | STD16N60M2 | AOD11S60 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STD16N60M2 | A-AOD11S60 | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 1.42 | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 59 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 208W | ||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 3300 | ||||||||
| VGS(th) | - | 4.1 | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 3.8 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 30V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 20 | ||||||||
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 11A | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 545 | ||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 399mΩ@10V | ||||||||
| Trr(ns) | - | 250 | ||||||||
| Coss(pF) | - | 37.3 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 11* | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,964 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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STD16N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
￥6.708
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2,964 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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AOD11S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V |
￥3.3048
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43 | 对比 | ||||||||||||||||
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AOD11S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6014YND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
￥14.4503
|
2,495 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6014YND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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