首页 > 商品目录 > > > > STD13NM60N代替型号比较

STD13NM60N  与  IPD60R380C6  区别

型号 STD13NM60N IPD60R380C6
唯样编号 A36-STD13NM60N A32-IPD60R380C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 360mΩ@5.5A,10V 380mΩ
上升时间 - 10ns
Qg-栅极电荷 - 32nC
栅极电压Vgs ±25V 10V
封装/外壳 DPAK -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A 10.6A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 9ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 320µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 700pF @ 100V
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 90W(Tc) 83W
典型关闭延迟时间 - 110ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 MDmesh™ II XPD60R380
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 790pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 32nC @ 10V
库存与单价
库存 0 579
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥8.6527
25+ :  ¥8.0116
100+ :  ¥7.4182
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 当前型号
IPD70R360P7SAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R360P7S_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

¥4.081 

阶梯数 价格
20: ¥4.081
100: ¥3.388
1,250: ¥3.08
1,290 对比
IPD60R380C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R380C6ATMA1_6.5mm

¥8.6527 

阶梯数 价格
1: ¥8.6527
25: ¥8.0116
100: ¥7.4182
579 对比
IPD60R380C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R380C6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

¥11.3293 

阶梯数 价格
1: ¥11.3293
20 对比
STL13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

PowerFLAT-5x6-8

暂无价格 0 对比
AOD380A60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售