STD13N60M2 与 AOD11S60 区别
| 型号 | STD13N60M2 | AOD11S60 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-STD13N60M2 | A36-AOD11S60 | ||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | - | 1.42 | ||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 59 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 208W | ||||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||||
| Qrr(nC) | - | 3300 | ||||||||||
| VGS(th) | - | 4.1 | ||||||||||
| Qgd(nC) | - | 3.8 | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 30V | ||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 20 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 11A | ||||||||||
| Ciss(pF) | - | 545 | ||||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 399mΩ@10V | ||||||||||
| Trr(ns) | - | 250 | ||||||||||
| Coss(pF) | - | 37.3 | ||||||||||
| Qg*(nC) | - | 11* | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 5,000 | 43 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价(含税) |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STD13N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
¥3.504
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5,000 | 当前型号 | ||||||||||
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STD5NM50T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||
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AOD11S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V |
¥3.3048
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43 | 对比 | ||||||||||
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STD5NM50T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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FCD380N60E | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
10.2A(Tc) ±20V 106W(Tc) 380m Ohms@5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 10.2A TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SPD07N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
83W DPAK (TO-252) 7.3A N-Channel 600V 2.1V,3.9V 540mΩ -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |