STD11N60DM2 与 SIHD14N60E-GE3 区别
| 型号 | STD11N60DM2 | SIHD14N60E-GE3 | ||||||
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| 唯样编号 | A36-STD11N60DM2 | A-SIHD14N60E-GE3 | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 10A DPAK | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 147W(Tc) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 13A(Tc) | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||
| Vgs(最大值) | - | ±30V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 309 mOhms @ 7A,10V | ||||||
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,588 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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STD11N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥7.764
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1,588 | 当前型号 | ||||||||
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SIHD14N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
13A(Tc) N-Channel 309 mOhms @ 7A,10V 147W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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